Samsung presentó su memoria HBM3E llamada Shinebolt durante el evento Memory Tech Days 2023. La memoria HBM3E de la compañía es una actualización de la memoria HBM3 existente y proporciona nuevos estándares de ancho de banda y velocidad de memoria. Está diseñado para usarse con procesadores y GPU de alta gama para servidores y computación de vanguardia. La compañía también reveló más información sobre el desarrollo de GDDR7 VRAM, memoria LPDDR5X CAMM y AutoSSD desmontable.
Se afirma que la memoria HBM3E de Samsung es más rápida que chips similares de Micron y SK Hynix
La DRAM Shinebolt HBM3E de la empresa surcoreana está diseñada para su uso en centros de datos para entrenar modelos de IA y muchas otras aplicaciones de alto rendimiento. Ofrece velocidades de transferencia de datos de 9,8 Gbps por pin, lo que significa que puede alcanzar velocidades de transferencia de hasta 1,2 Tbps. Samsung ha mejorado la tecnología NCF (película no conductora) para eliminar los espacios entre las capas del chip y mejorar la conductividad térmica.
Samsung fabrica una matriz HBM de 24 GB utilizando un nodo de clase de 10 nm (14 nm) basado en 4G EUV. Utilizando los kits 8Hi y 12Hi, la empresa puede producir capacidades de 24 GB y 36 GB, lo que proporciona capacidades un 50 % más altas que la memoria HBM3. La empresa anuncia un mínimo de 8 Gbps/pin y ofrece un único paquete HBM3E con un ancho de banda mínimo de 1 TB/s y un ancho de banda máximo de 1225 TB/s, que es superior al de sus competidores Micron y SK Hynix.
La memoria HBM3E de la compañía se encuentra actualmente en la fase de muestreo y se está enviando a sus clientes para que la prueben, y la producción en masa de estos chips de memoria comenzará en algún momento de 2024.
Samsung revela más detalles sobre el desarrollo de la memoria HBM4
Samsung también reveló que utilizará técnicas de fabricación y empaquetado más avanzadas para la memoria HBM4. Si bien la especificación HBM4 aún no ha sido aprobada, se ha revelado que la industria busca utilizar una interfaz de memoria más amplia (2048 bits). La empresa quiere utilizar transistores FinFET en lugar de transistores planos para reducir el consumo de energía.
El fabricante de chips de memoria de Corea del Sur quiere pasar de los microenlaces a los enlaces indirectos (directos de cobre a cobre) para los envases. Esta tecnología es relativamente nueva, incluso en la fabricación de chips lógicos, por lo que HBM4 puede resultar muy caro.
Samsung GDDR7 ofrece un 50% menos de consumo de energía en espera
Hace unos meses, Samsung reveló que había completado el desarrollo inicial de la memoria GDDR7. GDDR7 utiliza señales PMA3, lo que proporciona 1,5 bits para transferir por ciclo. La compañía comenzará a enviar módulos de 16 Gb (2 GB) que pueden funcionar a hasta 32 Gbps, lo que representa una mejora del 33 % con respecto a la memoria GDDR6.
Puede proporcionar una velocidad de transferencia de 1 TB/s a través de un bus de memoria de 256 bits. Este nuevo tipo de memoria mejora la eficiencia energética en estados activo y en espera, gracias a controles de reloj adicionales. Samsung espera ser la primera empresa en comenzar a enviar chips de memoria GDDR7 en algún momento de 2024. Sin embargo, el plazo específico aún no se ha revelado.
Samsung también reveló Petabyte SSD y memoria LPCAMM
Durante su evento Memory Tech Days 2023, Samsung también reveló que puede ser el primero en enviar un SSD del tamaño de un petabyte (PBSSD). Hace unos días, anunció un nuevo factor de forma para LPDDR5X DRAM para portátiles y PC: chips de memoria LPCAMM. El factor de forma compacto y desmontable de la DRAM permite que los mercados de computadoras portátiles y de PC envíen más dispositivos integrados en los que la DRAM no está soldada. Por lo tanto, los usuarios pueden eliminar y actualizar los módulos DRAM CAMM2.
Para cargas de trabajo de IA especializadas en dispositivos, la empresa también ofreció LLW2 DRAM. Samsung también presentó chips DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps y conjuntos de chips UFS (Universal Flash Storage) de próxima generación. La compañía también presentó el SSD QLC (celda de cuatro niveles) de alta capacidad BM9C1 para PC.
Samsung presenta las primeras unidades SSD desmontables del mundo para uso en automóviles
Para uso en automóviles, Samsung anunció el sistema AutoSSD desmontable, que tiene velocidades de transferencia de datos de hasta 6.500 MB por segundo y una capacidad de almacenamiento de hasta 4 TB. Debido a que es desmontable, los fabricantes de automóviles pueden realizar cambios en las configuraciones de sus vehículos. La compañía surcoreana también presentó chips de memoria GDDR7 VRAM y LPDDR5X DRAM de gran ancho de banda.
Jong Bae Lee, presidente y director de la división comercial de memoria de Samsung Electronics, dijo:La nueva era de la IA a gran escala ha llevado a la industria a una encrucijada donde la innovación y las oportunidades se cruzan, presentando un momento con potencial para grandes avances, a pesar de los desafíos. A través de una imaginación infinita y una perseverancia incesante, continuaremos liderando el mercado impulsando la innovación y colaborando con clientes y socios para ofrecer soluciones que amplíen las posibilidades.»
